熊本大学 理学部

[日時]  平成18年１０月１８日（水）１６：１０から
[場所]  理学部２号館２階大講義室（Ｃ－２２６室）
[講師]  篠崎　文重　先生（九州大学　大学院　理学研究院　教授）
[演題]  伝導と乱れの競合 ― ２次元均質系、グラニュラ系超伝導体のS-I転移 ―
[概要]  二次元系超伝導で乱れを強くしていくと、電気抵抗の温度依存性は低温で抵抗がゼロになる超伝導特性から、抵抗が温度減少ともに大きくなる絶縁体的特性へと変化する。
これは超伝導－絶縁体転移（S－I転移）と呼ばれ、そのメカニズムにはいくつかのモデルがある。
ミクロなスケールで一様な膜、微結晶からなるグラニュラ膜といった構造の違いによっても転移の振る舞いは大きく異なる。 一様膜では「臨界面抵抗の存在？」、グラニュラ膜では構造の多彩さから「リエントラント現象や負の磁気抵抗の発現」など未解決な問題が残っている。
われわれは電子間に働く引力が原因である超伝導現象、同じく乱れた系での電子間相互作用がもたらす電子局在現象との絡みを研究してきた。講演ではこれまでに実験結果を示し、超伝導と局在現象を概観し、乱れと超伝導の競合が示す低温での特異な輸送特性を紹介する。